首页西安功率器件测试应用中心实验室介绍器件测试实验室

实验室配备先进的测试仪器,可提供功率器件4吋、6吋、8吋晶圆和封装后产品全面的电性能测试,包括静态测试、动态测试、热阻测试等项目,为产品研发、生产确认和产品终测提供可靠的测试数据。

序号 检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
01 直流参数
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件;IGBT等模块产品;
检测最大电压:3000V
检测最大电流:1500A
美军标,国标,IEC等
02 雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件
检测最大电压:2500V
检测最大电流:200A
美军标
03 栅极电阻 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 检测阻抗:0.1Ω~50Ω JEDEC
04 开关时间 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件;
检测最大电压:1200V
检测最大电流:200A
美军标,国标,IEC等
05 开关时间 IGBT等模块产品
检测最大电压:2700V
检测最大电流:4000A
美军标,国标,IEC等
06 反向恢复 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测最大电压:1200V
检测最大电流:200A
美军标,国标,IEC等
07 反向恢复 IGBT等模块产品
检测最大电压:2700V
检测最大电流:4000A
美军标,国标,IEC等
08 栅极电荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测最大电压:1200V
检测最大电流:200A
美军标,国标,IEC等
09 栅极电荷 IGBT等模块产品
检测最大电压:2700V
检测最大电流:4000A
美军标,国标,IEC等
10 短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测最大电压:1200V
检测最大电流:1000A
美军标,国标,IEC等
11 短路耐量能力 IGBT等模块产品
检测最大电压:2700V
检测最大电流:10000A
美军标,国标,IEC等
12 结电容 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 检测最大电压:3000V IEC
13 参数曲线扫描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线
检测最大电压:3000V    检测最大电流:1500A
温度:-70°C~180°C
美军标,IEC等
14 热阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管产品 最大功率:250W 美军标,JEDEC
15 热阻性能 IGBT等模块产品 最大功率:4000W 美军标,JEDEC
16 ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等产品 HBM最大电压:8000V;MM最大电压:800V 美军标,ANSI,JEDEC等
17 *正向浪涌能力 DIODE(Si/SiC)、整流桥 检测最大电流:800A 美军标,国标
可靠性实验室 应用系统实验室 元器件实验室 失效性分析实验室

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