首页西安功率器件测试应用中心实验室介绍可靠性实验室

可靠性是产品最基本也是最重要的质量特性,提高产品的可靠性会使产品具有更强的市场竞争力,也是减少成本、提高效率的有效途径。可靠性实验室依据行业国际标准建立,具有完备的实验能力,可进行电子产品的可靠性增长试验、可靠性鉴定试验、寿命试验、筛选试验等,并可根据客户需求进行定制可靠性实验。

序号 检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
01 高温反偏试验(HTRB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件
温度最高150℃;
电压最高2000V
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
02 高温门极试验(HTGB) MOSFET、SiC MOS等单管器件
温度最高150℃;
电压最高2000V
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
03 高温工作寿命试验(HTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
温度最高150℃
电压最高2000V
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
04 低温工作寿命试验(LTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
温度最低-80℃
电压最高2000V
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
05 高温储存试验(HTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最高150℃; 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
06 低温储存试验(LTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最低-80℃ 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
07 高温高湿试验(THB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度最高180℃
湿度范围:10%~98%
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
08 高低温循环试验(TC) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围:-80℃~220℃ 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
09 间歇寿命试验(IOL)功率循环试验(PC) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
ΔTj≧100℃
电压电流最大48V,10A
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
10 稳态功率试验(SSOL) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
ΔTj≧100℃
电压电流最大48V,10A
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
11 高加速应力试验(HAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度130℃/110℃
湿度85%
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
12 *无偏压的高加速应力试验(UHAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度130℃
湿度85%
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
13 高温蒸煮试验(PCT) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度121℃
湿度100%
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
14 预处理试验(Pre-con) 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
15 潮气敏感度等级试验(MSL) 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
16 *可焊性试验(Solderability) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 有铅、无铅均可进行 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
可靠性实验室 应用系统实验室 元器件实验室 失效性分析实验室

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