首页西安功率器件测试应用中心检测能力

可靠性实验室

序号 检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
01 高温反偏试验(HTRB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件
温度最高150℃;
电压最高2000V
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
02 高温门极试验(HTGB) MOSFET、SiC MOS等单管器件
温度最高150℃;
电压最高2000V
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
03 高温工作寿命试验(HTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
温度最高150℃
电压最高2000V
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
04 低温工作寿命试验(LTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
温度最低-80℃
电压最高2000V
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
05 高温储存试验(HTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最高150℃; 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
06 低温储存试验(LTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最低-80℃ 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
07 高温高湿试验(THB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度最高180℃
湿度范围:10%~98%
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
08 高低温循环试验(TC) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围:-80℃~220℃ 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
09 间歇寿命试验(IOL)功率循环试验(PC) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
ΔTj≧100℃
电压电流最大48V,10A
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
10 稳态功率试验(SSOL) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
ΔTj≧100℃
电压电流最大48V,10A
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
11 高加速应力试验(HAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度130℃/110℃
湿度85%
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
12 *无偏压的高加速应力试验(UHAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度130℃
湿度85%
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
13 高温蒸煮试验(PCT) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度121℃
湿度100%
美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
14 预处理试验(Pre-con) 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
15 潮气敏感度等级试验(MSL) 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
16 *可焊性试验(Solderability) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 有铅、无铅均可进行 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

元器件测试室

序号 检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
01 直流参数
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件;IGBT等模块产品;
检测最大电压:3000V
检测最大电流:1500A
美军标,国标,IEC等
02 雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件
检测最大电压:2500V
检测最大电流:200A
美军标
03 栅极电阻 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 检测阻抗:0.1Ω~50Ω JEDEC
04 开关时间 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件;
检测最大电压:1200V
检测最大电流:200A
美军标,国标,IEC等
05 开关时间 IGBT等模块产品
检测最大电压:2700V
检测最大电流:4000A
美军标,国标,IEC等
06 反向恢复 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测最大电压:1200V
检测最大电流:200A
美军标,国标,IEC等
07 反向恢复 IGBT等模块产品
检测最大电压:2700V
检测最大电流:4000A
美军标,国标,IEC等
08 栅极电荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测最大电压:1200V
检测最大电流:200A
美军标,国标,IEC等
09 栅极电荷 IGBT等模块产品
检测最大电压:2700V
检测最大电流:4000A
美军标,国标,IEC等
10 短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测最大电压:1200V
检测最大电流:1000A
美军标,国标,IEC等
11 短路耐量能力 IGBT等模块产品
检测最大电压:2700V
检测最大电流:10000A
美军标,国标,IEC等
12 结电容 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 检测最大电压:3000V IEC
13 参数曲线扫描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线
检测最大电压:3000V    检测最大电流:1500A
温度:-70°C~180°C
美军标,IEC等
14 热阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管产品 最大功率:250W 美军标,JEDEC
15 热阻性能 IGBT等模块产品 最大功率:4000W 美军标,JEDEC
16 ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等产品 HBM最大电压:8000V;MM最大电压:800V 美军标,ANSI,JEDEC等
17 *正向浪涌能力 DIODE(Si/SiC)、整流桥 检测最大电流:800A 美军标,国标

应用系统测试室

序号 检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
01 电气参数 开关电源(例如低压AC/DC电源,低压DC/DC电源,直流充电桩电源模块等)、电机控制板。
低压AC/DC电源:单相最大输入电压/功率为300V/3KVA;最大输出电压/功率:80V/1000W;
低压DC/DC电源:最大输入电压/功率为80V/1.2KW;最大输出电压/功率:80V/1000W;
直流充电桩电源模块:三相最大输入电压/功率为500V/30KVA;最大输出电压/功率:700V/30KW;
电机控制板:直流输入电压/功率100V/5KW
国标,IEC,客户要求等
02 *保护功能测试 开关电源(例如低压AC/DC电源,低压DC/DC电源,直流充电桩电源模块等)、电机控制板。
低压AC/DC电源:单相最大输入电压/功率为300V/3KVA;最大输出电压/功率:80V/1000W;
低压DC/DC电源:最大输入电压/功率为80V/1.2KW;最大输出电压/功率:80V/1000W;
直流充电桩电源模块:三相最大输入电压/功率为500V/30KVA;最大输出电压/功率:700V/30KW;
电机控制板:直流输入电压/功率100V/5KW
国标,IEC,客户要求等
03 *元器件应力测试 开关电源(例如低压AC/DC电源,低压DC/DC电源,直流充电桩电源模块等)、电机控制板、锂电保护板。
最大峰值电压:1.5KV;
最大有效值/峰值电流:30A/50A;
最高温度:260°C 
元器件规格,客户要求等
04 电气/抗电强度测试 电子电气产品
交流耐压范围:(0~5)KV/40mA;
直流耐压范围:(0~6)KV/9999uA
国标,IEC,客户要求等
05 绝缘电阻测试 电子电气产品 (100~1K)Vdc/9999MΩ  国标,IEC,客户要求等
06 接地电阻测试 电子电气产品 30A/600mΩ  国标,IEC,客户要求等
07 *低温测试 电子电气产品 最低温度:-70℃ 国标,IEC,客户要求等
08 *高温测试 电子电气产品 最高温度:~180℃  国标,IEC,客户要求等
09 *高加速寿命/应力测试 电子电气产品
温度范围:(-100 ~ +200)°C;
温度上升速率:平均(70°~100°)C/m;  
加速: (5 – 60)gRMS (空台)
国标,IEC,客户要求等
10 *静电放电抗扰度测试 电子电气产品 接触静电放电电压范围:(±2~±8)KV
空气静电放电电压范围:(±2~±25)KV
国标,IEC,客户要求等
11 雷击浪涌抗扰度测试 电子电气产品
1.2/50us综合波的开路电压范围:(0.25~10)KV;
10/700us通讯波的开路电压范围:(0~6)KV;
输出阻抗:1.2/50us综合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通讯波15Ω和40Ω
国标,IEC,客户要求等
12 电源端子骚扰电压/传导测试 电子电气产品 9KHz~30MHz  国标,IEC,客户要求等

失效分析实验室

序号 检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
01 *产品外观或形貌确认 IC,分立器件,模块等产品
立体成像:最大45倍;
金相成像:最大1000倍
客户要求
02 *尺寸测量 IC,分立器件,模块等产品
立体成像:最大45倍;
金相成像:最大1000倍
客户要求
03 超声波检测(SAT) IC,分立器件,模块等产品 具有分层面积百分比计算,缺陷尺寸标识,厚度与距离测量等功能。可进行A-scan(点扫描)、B-scan(纵向扫描)、C-scan(横向扫描)、Through-scan(透射扫描)。 国军标
04 X-ray检测 IC,分立器件,模块等产品 最高分辨率0.5um。具有空洞面积百分比计算,缺陷尺寸标识,厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维CT扫描。 国军标
05 推拉力检测 IC,分立器件,模块等产品 支持WP100和WP2.5KG二款拉力测试头,测试范围0-2500g;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力测试头,测试范围0-5000g,推刀接受面宽0-8891um。 国军标
06 *有害物质检测 IC,分立器件,模块等产品 支持铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)、六价铬(Cr6+)、多溴联苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE),以及卤素等其他化学元素的检测。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br最低检测限可达2ppm。 IEC
07 *样品开封 IC,分立器件,模块等产品 化学开封、样品剥层。 客户要求
08 *剖面分析 IC,分立器件,模块等产品 金相样品制备、样品观察、样品染色。 客户要求

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